可靠性测试服务 (Mass production capacity) 首页/ 可靠性测试服务

uHAST ：高加速温湿度及偏压测试

目的:

评估 IC 产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程。

测试条件:

130℃， 85%RH, 1.1 VCC, Static bias，2.3 atm

失效机制：

电离腐蚀

封装密封性

THT ：恒温恒湿测试

目的:

评估 IC 产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程。

测试条件:

85℃，85%RH, 500/1000hrs （有时会加偏置电压，测试称为THBT）

失效机制：

电离腐蚀

TST：高低温冲击试验

目的:

评估IC 产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。

测试条件:

Condition B: - 55℃ to 125℃

Condition C: - 65℃ to 150℃

失效机制：

电介质的断裂

材料的老化（如 bond wires）

导体机械变形